Перейти к содержимому
Samsung ElectronicsMZ-V9E1T0BW

Samsung MZ-V9E1T0BW

Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO базируется на собственном контроллере Samsung, а особенностью является поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCI 5.0 x2, что позволяет достигать максимальной производительности на большинстве устройств. Пропускная способность 990 EVO достигает 5000/4200 МБ/с для последовательного чтения/записи и 680 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи. В модели используются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, работающие быстрее и стабильнее благодаря оптимизированному блоку IO.

Скорость последовательного чтения/записи до 5000/4200 МБ/с

Повышенная энергоэффективность с поддержкой режима Modern Standby

Удовлетворение потребностей игр, бизнеса и творческой работы

Цена
Цена по запросу
НДС 22%·наличие уточняется
Срок доставки уточняется
После подтверждения наличия менеджером
Гарантия производителя
полный комплект документов для закупки
КАБИНЕТ ЮР. ЛИЦА

Войдите,
чтобы видеть
вашу цену

Доступные для вашей компании цены, остатки и документы показываются после авторизации.

Условия, опубликованные для вашей компании
Заявки, КП, заказы и доступные документы
Обращения и история ответов

Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO базируется на собственном контроллере Samsung, а особенностью является поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCI 5.0 x2, что позволяет достигать максимальной производительности на большинстве устройств. Пропускная способность 990 EVO достигает 5000/4200 МБ/с для последовательного чтения/записи и 680 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи. В модели используются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, работающие быстрее и стабильнее благодаря оптимизированному блоку IO.

Скорость последовательного чтения/записи до 5000/4200 МБ/с

Повышенная энергоэффективность с поддержкой режима Modern Standby

Удовлетворение потребностей игр, бизнеса и творческой работы

Samsung MZ-V9E1T0BW (MZ-V9E1T0BW) | КОМПЕТЕНЦИЯ