Перейти к содержимому
Samsung Electronics· M323R1GB4BB0-CQKM323R1GB4BB0-CQK

Модуль памяти Samsung 8GB Samsung DDR5 4800 DIMM M323R1GB4BB0-CQK Non-ECC, 1.1V, 1Rx16

Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.

Захватывающая дух скорость, для огромных данных в реальном времени

Благодаря исключительной скорости передачи данных до 7200 Мбит/с DDR5 эффективно справляется с постоянно растущими требованиями к более крупным и сложные рабочие нагрузки с данными. DDR5 обеспечивает более чем двукратное увеличение производительности по сравнению с DDR4, с удвоенной длиной пакета с 8 до 16 и удвоением количества банков с 16 до 32. Потрясающая производительность поднимает потолок обработки больших данных, в то же время легко обрабатывая контент 8K.

Удвоенная емкость 

Производственный процесс Samsung класса 10 нм и технология EUV позволяют чипам увеличить объем памяти с 16 Гб до 32 Гб. Удвоение фишки емкость означает, что один модуль может предоставить до 512 ГБ, чтобы плавно справляться с огромными одновременными рабочими нагрузками, с масштабируемостью для будущих инноваций.

Цена
Цена по запросу
НДС 22%·В наличии: не менее 100 шт
Срок доставки уточняется
После подтверждения наличия менеджером
Гарантия производителя
полный комплект документов для закупки
КАБИНЕТ ЮР. ЛИЦА

Войдите,
чтобы видеть
вашу цену

Доступные для вашей компании цены, остатки и документы показываются после авторизации.

Условия, опубликованные для вашей компании
Заявки, КП, заказы и доступные документы
Обращения и история ответов

нет

Модуль памяти Samsung 8GB Samsung DDR5 4800 DIMM M323R1GB4BB0-CQK Non-ECC, 1.1V, 1Rx16 (M323R1GB4BB0-CQK) | КОМПЕТЕНЦИЯ