Перейти к содержимому
Samsung ElectronicsM321R8GA0EB0-CWMXJ

Samsung M321R8GA0EB0-CWMXJ

Серверный модуль памяти Samsung DDR5 64GB RDIMM 5600 спроектирован для обеспечения максимальной производительности в центрах обработки данных и корпоративных вычислительных системах. Устройство сочетает в себе увеличенную плотность записи и передовую архитектуру нового стандарта, что делает его идеальным инструментом для задач машинного обучения, обработки больших данных и поддержки ресурсоемких виртуальных сред.

Модуль работает на тактовой частоте 5600 МГц, что обеспечивает значительный прирост пропускной способности по сравнению с предыдущими поколениями памяти. Увеличение количества банков и длины пакета данных позволяет серверному оборудованию эффективно справляться с параллельными потоками запросов, минимизируя время ожидания в критически важных приложениях. Конфигурация 2Rx4 и регистровая архитектура RDIMM гарантируют стабильность сигнала даже при полной загрузке каналов памяти. Встроенная технология On-Die ECC автоматически выявляет и исправляет битовые ошибки, обеспечивая целостность данных без риска системных сбоев. Рабочее напряжение 1.1 В и интегрированная микросхема управления питанием (PMIC) снижают тепловыделение и энергопотребление, что уменьшает нагрузку на систему охлаждения и сокращает эксплуатационные расходы.

Реактивная скорость 5600 МГц для вычислений

Модуль работает на тактовой частоте 5600 МГц, обеспечивая значительный прирост пропускной способности по сравнению с предыдущими поколениями памяти. Увеличение количества банков и длины пакета данных позволяет серверному оборудованию эффективно справляться с параллельными потоками запросов, минимизируя время ожидания в критически важных приложениях и базах данных In-Memory.

Надежность 2Rx4 и коррекция ошибок

Конфигурация 2Rx4 (двойной ранг) и наличие регистра (RDIMM) обеспечивают стабильность сигнала даже при полной загрузке каналов памяти. Встроенная технология On-Die ECC автоматически выявляет и исправляет битовые ошибки непосредственно внутри чипа, гарантируя целостность информации в режиме 24/7 без риска системных сбоев и остановки рабочих процессов.

Экономия энергии 1.1 В и эффективное управление питанием

Интеграция микросхемы управления питанием (PMIC) прямо на текстолит модуля позволила снизить рабочее напряжение до 1.1 В и улучшить качество сигнала. Это техническое решение существенно уменьшает тепловыделение компонента, снижая нагрузку на систему кондиционирования серверной и сокращая общие эксплуатационные расходы дата-центра.

Цена
Цена по запросу
НДС 22%·В наличии 200 шт
Москва: 1–2 дня
Курьером или до ТК
Гарантия производителя
полный комплект документов для закупки
КАБИНЕТ ЮР. ЛИЦА

Войдите,
чтобы видеть
вашу цену

Персональная скидка, остатки в реальном времени и отсрочка платежа — после авторизации.

Цены для вашей категории партнёрства
История заказов и закрывающие документы
Персональный менеджер

Серверный модуль памяти Samsung DDR5 64GB RDIMM 5600 спроектирован для обеспечения максимальной производительности в центрах обработки данных и корпоративных вычислительных системах. Устройство сочетает в себе увеличенную плотность записи и передовую архитектуру нового стандарта, что делает его идеальным инструментом для задач машинного обучения, обработки больших данных и поддержки ресурсоемких виртуальных сред.

Модуль работает на тактовой частоте 5600 МГц, что обеспечивает значительный прирост пропускной способности по сравнению с предыдущими поколениями памяти. Увеличение количества банков и длины пакета данных позволяет серверному оборудованию эффективно справляться с параллельными потоками запросов, минимизируя время ожидания в критически важных приложениях. Конфигурация 2Rx4 и регистровая архитектура RDIMM гарантируют стабильность сигнала даже при полной загрузке каналов памяти. Встроенная технология On-Die ECC автоматически выявляет и исправляет битовые ошибки, обеспечивая целостность данных без риска системных сбоев. Рабочее напряжение 1.1 В и интегрированная микросхема управления питанием (PMIC) снижают тепловыделение и энергопотребление, что уменьшает нагрузку на систему охлаждения и сокращает эксплуатационные расходы.

Реактивная скорость 5600 МГц для вычислений

Модуль работает на тактовой частоте 5600 МГц, обеспечивая значительный прирост пропускной способности по сравнению с предыдущими поколениями памяти. Увеличение количества банков и длины пакета данных позволяет серверному оборудованию эффективно справляться с параллельными потоками запросов, минимизируя время ожидания в критически важных приложениях и базах данных In-Memory.

Надежность 2Rx4 и коррекция ошибок

Конфигурация 2Rx4 (двойной ранг) и наличие регистра (RDIMM) обеспечивают стабильность сигнала даже при полной загрузке каналов памяти. Встроенная технология On-Die ECC автоматически выявляет и исправляет битовые ошибки непосредственно внутри чипа, гарантируя целостность информации в режиме 24/7 без риска системных сбоев и остановки рабочих процессов.

Экономия энергии 1.1 В и эффективное управление питанием

Интеграция микросхемы управления питанием (PMIC) прямо на текстолит модуля позволила снизить рабочее напряжение до 1.1 В и улучшить качество сигнала. Это техническое решение существенно уменьшает тепловыделение компонента, снижая нагрузку на систему кондиционирования серверной и сокращая общие эксплуатационные расходы дата-центра.

Samsung M321R8GA0EB0-CWMXJ (M321R8GA0EB0-CWMXJ) | КОМПЕТЕНЦИЯ